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高低溫真空探針臺測試晶圓

更新時間:2026-02-25      點擊次數:40

在半導體制造和微電子器件研發中,電學測試是確保產品質量的關鍵。而高低溫真空探針臺,正是這一環節中的設備。它能在真空環境下,對芯片、晶圓等微納器件進行電學測量,廣泛應用于材料研究、失效分析和量產前驗證等多個階段。

一、為什么需要真空環境?

在大氣環境下進行低溫測試時,空氣中的水汽容易凝結在晶圓表面,導致漏電或探針接觸不良,影響測試準確性。而在高溫測試(如300℃~500℃)中,氧化現象會加劇,可能導致器件電性漂移甚至物理形變。因此,真空探針臺通過分子泵和渦旋泵抽走水汽和氧氣,確保測試環境的純凈與穩定。

二、優勢:真空與溫度的協同控制

現代真空探針臺具備真空-溫度協同控制能力,可在30分鐘內達到10?? torr的高真空度,并支持液氮制冷與電加熱復合控溫,溫控精度高達±0.1K,覆蓋從77K到450K甚至更寬的溫度范圍,滿足從低溫到高溫的多種測試需求。

三、多通道拓展

真空屏蔽腔體設計有效降低電磁干擾,支持皮安級微弱電流和μΩ級電阻的測量。設備標配4個探針臂,可擴展至6個,支持四線法測試、射頻探針和光電協同測試,滿足復雜器件的多參數測量需求。

四、應用場景

材料研發:在真空環境下測試鈣鈦礦、氧化鎵等新型材料的高低溫電學性能。

失效分析:結合SEM或FIB,對芯片短路、漏電等問題進行微米級定位。

真空探針臺.jpg


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